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美光在《芯片法案》获得61.4亿美元补贴 未来约40%的DRAM芯片生产转移到本土

时间:2024-04-27 19:40:57
  • 来源:超能网
  • 作者:吕嘉俭
  • 编辑:豆角

美国商务部宣布,已经与美光签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),将根据《芯片法案》提供约61.4亿美元的直接拨款,另外还有75亿美元的贷款,以提高美国在尖端存储半导体生产方面的竞争力。这些投资将推进美光的计划,即未来20年内将约40%的DRAM芯片生产转移到美国本土。

美光在《芯片法案》获得61.4亿美元补贴 未来约40%的DRAM芯片生产转移到本土

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示,这是美国半导体制造的历史性时刻,而美光领先的内存是满足人工智能日益增长需求的基础,这将创造许多高科技就业机会。美光拟议的投资将分布在纽约州和爱达荷州,以在美国创建一个强大的领先DRAM芯片生态系统:

纽约州克莱 - 计划里四座晶圆厂的前两座,属于DRAM工厂,是美光未来20年内在纽约投资约1000亿美元长期投资计划的第一步。每座晶圆厂拥有600,000平方英尺的洁净室,四个设施的洁净室空间总计240万平方英尺,这是美国有史以来宣布的最大洁净室空间,面积相当于近40个足球场。

爱达荷州博伊西 - 投资250亿美元建造一座大型晶圆厂,洁净室约600,000平方英尺,专注于生产领先的DRAM芯片。这与美光的研发设施位于同一地点,以提高其研发和制造业务的效率,减少技术转让的滞后,并缩短尖端内存产品的上市时间。

美光承诺,未来六年内斥资500亿美元建造前三座晶圆厂,预计将在纽约州创造9000多个制造和设施工作岗位以及4500个建筑工作岗位,并在爱达荷州创造2000多个制造和设施工作岗位以及4500个建筑工作岗位。

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